继6月成立单独的DRAM事业群后，紫光集团开始落地DRAM存储芯片工厂。

在第二届重庆智博会召开期间，重庆市政府与紫光集团签署了紫光存储芯片产业基地项目合作协议。

根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

据了解，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

主要专注12英寸DRAM存储芯片的制造

按照此次签署的协议，紫光国芯集成电路股份有限公司将作为紫光集团已经和未来在各地设立的存储芯片制造工厂的投资主体，打造世界级存储芯片领域核心产业集团。

紫光重庆存储芯片工厂则依靠紫光集团在存储器领域积累的从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验，主要专注12英寸DRAM存储芯片的制造。该工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

补齐中国集成电路短板

存储器是中国集成电路产业的短板，也是国家大力推进的重点领域。赛迪智库《2018年全球集成电路产品贸易研究报告》数据显示，2018年中国大陆进口集成电路金额高达3120.6亿美元，已远超石油进口额，成为中国进口金额最大的商品，其中存储器占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。

目前市场上主要有两类存储器产品，一类是DRAM（动态随机存储器），承担计算时的数据缓存功能；另一类是NAND Flash（闪存），承担数据的存储功能。存储器广泛应用于手机、个人电脑、企业服务器、数据中心等领域。